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产品特性要求 工艺品类 技术项目 工艺能力指标 高频特种材料应用 非 PTFE 陶瓷基材 / 碳氢系高频材料工艺 ① 材料电性能研究；② 材料可靠性与理化性能研究；③ 材料可加工性研究；④ 材料设计适配性能研究 深度研究、全面掌握各类基材特性，以此指导产品设计与生产制造。 PTFE 高频材料工艺 高标准外观要求 / 外观高标准 外观品质 ① 毛刺、碎屑、分层、晕圈、缺口、玻纤外露、织纹、凹点、白点、残胶
② 划伤、压痕、针孔、线路损伤、金属碎屑、凹痕、色差、颗粒、粗糙、露铜符合 IPC-6018C 以及国军标微波印制板通用规范 无镍厚金及复合表面处理工艺 表面处理工艺 ① 无镍厚金工艺应用
② 软金 + 厚金、沉金 + 厚金、OSP + 厚金组合工艺开发金厚：0.05~4 微米 高对位精度 层间对位精度 ① LDI 激光直接成像曝光工艺；② 板材涨缩管控体系搭建与优化 图形层间中心偏移 ≤1mil 孔、槽、外形及线路图形对位 ① 压合 PIN-LAM 定位系统；② X-RAY 靶标钻孔工艺；③ CCD 对位钻孔与铣边工艺；④ 激光切割工艺 ① 孔位公差 ±1mil；② 钻孔偏移 ≤1.5mil；③ 指定特征之间对位精度 ≤2mil 槽孔与阶梯结构工艺 槽型结构 / 槽孔结构 ① 全金属化 / 非金属化盲槽工艺；② 局部金属化 + 阶梯槽复合工艺 ① 溢胶 ≤0.5mm；② 槽尺寸 ≥0.5×0.5mm；③ 槽深度 ≥0.05mm；④ 槽公差 ±0.05mm；⑤ 最多 3 级阶梯 阶梯结构（阶梯板工艺） ① 全金属化 / 非金属化阶梯工艺；② 局部金属化阶梯工艺 其他 PCB 工艺 混压工艺、HDI 高密度板、盲埋孔、埋铜块、金属基板 混压工艺、HDI 工艺、盲埋孔工艺、埋铜块工艺、金属基板工艺 满足对应的各项技术规格要求 埋阻埋容 / 埋入式元器件工艺 ① 埋阻埋容工艺；② 埋入元器件工艺 ① 电阻、电容公差 ±15%
② 支持埋入 IC、电阻、电容 -
核心技术 技术指标 成熟能力 研发能力 材料 可加工材料 FR-4\PTFE\非PTFE\PI等 FR-4\PTFE\非PTFE\PI等 板厚能力 最大板厚/mm 8.0 10 最大层数 30 30+ 尺寸能力 最大最小加工尺寸/mm Min: 1*1; Max: 570*670 Min: 1*1; Max: 570*1200 尺寸精度 外形尺寸精度/mm ±0.075 ±0.05 槽制作能力 槽尺寸精度/mm ±0.075 ±0.05 层间对位能力 最小孔到导体距离/mil 5 4 孔加工技术 最小孔径/mil 机械6mil,激光2.5mil 机械5mil,激光2mil 最小BGA pitch/mm 0.4 0.35 最小孔壁间距/mm 0.18 0.15 孔径公差/mil ±2.0 (PTH)
±1.0 (NPTH)±2.0 (PTH)
±1.0 (NPTH)孔位公差/mil ±2 ±2 电镀 厚径比 20:1 30:1 线宽制作 线宽精度/um ±20 ±15 阻抗控制 阻抗公差/%（≥50Ω） ±8% ±7% 平整度控制 翘曲度/% 0.75% 0.5% -
高Tg 高速 高频（非 PTFE） PTFE PI 金属基板 高导热 IT180A TU-872SLK/TU872SLK-SP RO4350B TLX、TLY系列 85N T110 T112(B/C) S1190 R-5725/R-5725S RO4730G3 AD、RT系列 VT-901 T111 VT-4(B3/B5) S1000-2 R-5775G RO4725JXR TMM系列 SH260 VT-4A1 1KA04 S1000-2M IT-968 RO4533 RO3000系列 / VT-4A2 1KA06 TU-862 HF R-5785N RO4835 TC系列 / 92MCL 1KA08 TU-752/768 Meteor wave 4000 RO4003C CLTE、TSM系列 / / T512 185HR IT-988G SE 同类国产系列 同类国产系列 / / /
